일본의 히타치제작소 중앙연구소가 0.15㎜각, 두께 7.5㎛의 세계 최소, 최박의 비접촉형 IC칩을 개발, 동작확인에 성공하였다고 2월 6일 발표하였다.

이번에 개발한 칩은 히타치제작소가 사업전개를 진행하고 있는 0.4㎜각의 「뮤 칩」의 응용분야 확대를 목표로 진행시킨 연구 과정에서 나온 것으로, 「뮤 칩」과 동일한 동작 기능을 가지면서 소형·박형화함으로써 비접촉형 IC칩의 새로운 적용분야에 대한 진출 가능성을 높였다.

본 칩은 SOI(Silicon on Insulator)기술을 적용하여, 기존의 실리콘 기판 대신 절연층을 넣은 SOI기판을 이용하면서 가능하게 되었다.

종래의 고주파회로 소자의 주변은 소자간의 간섭에 의한 오작동을 막기 위해 폭이 넓은 소자 분리대가 필요하였다. 하지만 이번에 개발한 칩에는 SOI 프로세스를 이용, 소자의 주변을 절연층으로 감싸서 소자가 인접하여도 상호 신호가 간섭하는 것을 막을 수 있게 되어 보다 작은 스페이스로의 고집적화를 실현할 수 있었다.

또한 회로가 형성된 SOI기판의 배면에서부터 실리콘 층을 가공할 때에 실리콘 층을 완전히 제거하는 것으로 박형화 하였다.

이로 인해 히타치가 2003년 2월에 개발을 발표한 0.3㎜각, 두께 60㎛의 IC칩(이하 0.3㎜각의 IC칩)과 비교, 면적을 4분의 1로 소형화하였고, 두께를 8분의 1로 박형화하는 것을 동시에 실현하였다.

이번의 대폭적인 소형화에 의해 웨이퍼 1매당 취하는 칩의 매수가 증가하여 0.3㎜각의 IC칩과 비교하면 4배 이상, 현재 동사에서 판매하고 있는 「뮤 칩」과 비교하면 10배 정도의 생산성 향상이 예상된다.

또한 0.3㎜각의 IC칩과 같이 칩의 양면에 전극을 가지는 양면 전극 칩 구조를 적용하고 있기 때문에 소형화에도 불구하고 외부 안테나와의 접속이 용이하게 되어 이 또한 생산성을 향상시킨다.

히타치제작소는 이번에 개발한 칩이 소형, 박형이기 때문에 상품권 등의 유가증권이나 각종 증명서 등으로 보다 폭넓은 용도로의 적용이 가능할 것으로 보고, 이와 관련된 시장 개척에 힘쓰고 있다고 하였다.

동사는 또한 본 성과를 2월 5일부터 미국 샌프란시스코에서 개최하는 「국제 고체소자회로회의(ISSCC ： International Solid-State Circuits Conference)」에서 발표할 예정이라고 한다.

조나리 기자/olivelina@paran.com